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삼성전자, 평택에 10조원대 투자
임봄 기자  |  foxant@hanmail.net
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승인 2020.05.27  
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화성에 이어 두 번째 EUV 전용라인 구축
글로벌 1위 목표 본격화, 평택 동반 성장


 

   
 

 

삼성전자가 2021년 가동을 목표로 고덕산업단지에 위치한 평택캠퍼스에 극자외선 파운드리 생산라인을 구축하는 대규모 투자계획을 발표함에 따라 평택지역 경제에도 동반성장에 대한 기대감이 일고 있다.

평택캠퍼스에 구축하는 극자외선 파운드리 생산시설은 올해 2월 화성사업장에 이은 두 번째 EUV 전용라인으로, 투자 규모는 정확히 공개되진 않았지만 약 10조원대의 대규모 투자가 될 것으로 보고 있다.

평택캠퍼스의 파운드리 생산시설, 즉 반도체 위탁생산 시설을 통해 삼성전자는 지난해 발표한 2030년 글로벌 시스템 반도체 시장 1위 달성을 목표로 하는 ‘반도체 비전 2030’에 한 걸음 다가선다는 계획이다.

EUV란 기존보다 더 미세하게 반도체 회로 패턴을 새길 수 있는 기술로 초미세 회로 구현이 가능해 현재의 기술방식에서 한 단계 도약하기 위해서는 반드시 채택해야 하는 공정이다. 특히 EUV 장비는 공정 단계를 줄일 수 있어 생산성도 높일 수 있는 것으로 알려졌다.

현재 글로벌 파운드리 시장은 대만의 TSMC가 압도적인 1위를 지키고 있으며, 삼성은 2위 자리에서 추격하고 있다. 삼성전자는 차세대 기술인 EUV를 통한 기술력으로 TSMC와의 격차를 좁혀 시스템반도체 1위 달성의 초석을 다지겠다는 각오다.

삼성전자는 지난해 화성 S3라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 V1라인을 통해 초미세 공정 생산규모를 확대했다. 향후 평택라인까지 가동되면 초미세 공정 기반의 제품생산 규모는 가파르게 증가할 전망이다. 삼성전자는 생산성을 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기 화성에서 먼저 양산한 이후 평택 파운드리라인에서도 5나노 제품을 생산한다는 계획이다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “앞으로 5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며, “전략적 투자와 지속적인 인력 채용으로 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 말했다.

   
 
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